高纯碲相关介绍

        高纯碲：

        1、物理性质： 

         原子量：127.60 

         电负性：2.01 

         密度：6.25 g/cm3 

         熔点：452 ℃ 

         沸点：1390 ℃ 价态：-2，+2，+4，+6 

         禁带宽度：0.35 eV 电子迁移率：1700 cm3/(v.s) 

                                                                                     高纯碲

        2、规格： 

         化学纯度：

          高纯碲：Te-04 纯度99.99%以上，银，铝，镉，铜，铁，镁，镍，铅，硒，硅，锡杂质总含量小于100ppm；  

          高纯碲：Te-05 纯度99.999%以上，银，铝，镉，铜，铁，镁，镍，铅，硒，硅，锡杂质总含量小于10ppm； 

          超纯碲：Te-06 纯度99.9999%以上，银，钙，铝，镉，铜，铁，镁，镍，铅，硒，硅，锌杂质总含量小于1ppm； 

          超高纯碲：Te-07 纯度99.99999%以上，银，钙，铝，镉，铜，铁，镁，镍，铅，硒，锌杂质总含量小于0.1ppm。 

        3、物理性状：

         块，锭，粉。 

                                                                               高纯碲

        4、用途：

         主要用于制备Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，太阳能电池，热电转换元件，致冷元件，气敏，热敏，压敏，光敏，压电晶体和核辐射探测，红外探测器等基础材料。 

        5、包装：

         涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装或玻璃管真空封装。